10.3969/j.issn.1004-3365.2013.05.032
Ti/4H-SiC SBD中子辐照效应的研究
采用1 MeV的中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的辐照效应进行研究,观察了常温下的退火效应.实验的最高中子剂量为1×1015 n/cm2,对应的γ射线累积总剂量为33 kGy (Si).经过1×1014 n/cm2的辐照后,Ti/SiC肖特基接触没有明显退化；剂量达到2.5×1014 n/cm2后,观察到势垒高度下降；剂量达到1×1015 n/cm2后,势垒高度从1.00 eV下降为0.93eV;经过常温下19 h的退火后,势垒高度有所恢复,表明肖特基接触的辐照损伤主要是由电离效应造成的.辐照后,器件的理想因子较辐照前有所上升；器件的正向电流(VF=2V)随着辐照剂量的上升而下降.
碳化硅、肖特基势垒二极管、中子辐照
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TN386(半导体技术)
陕西省自然科学基金资助项目2013JQ7028
2013-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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