10.3969/j.issn.1004-3365.2013.05.030
RF-LDMOS射频功率器件内匹配电路设计
介绍了一种RF-LDMOS功率器件内匹配电路的设计方法.首先通过ADS/De-Embed提取管芯的S参数,得到其输入阻抗；然后建立LC内匹配电路,确定电容值、电感值以及提升的目标阻抗值；最后在HFSS中建立金丝键合线模型,确定金丝键合线的长度及根数,完成内匹配电路的设计.该内匹配电路设计的目的是将管芯的输入阻抗提升为较大的阻值,使得在PCB上进行外匹配设计更为方便.设计仿真结果表明,通过在管壳内加入合适的内匹配电路,在目标频率1.2GHz时,将管芯的输入阻抗从0.8 Ω提升到12.4Ω,S11小于-46 dB,符合设计要求.为LDMOS功率器件设计者提供了一种有效的内匹配设计方法.
RF-LDMOS、内匹配电路、HFSS、ADS
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
2013-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
716-718,736
