10.3969/j.issn.1004-3365.2013.05.011
基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路
相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流扣电压脉冲编程的写驱动电路.针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波.设计采用SMIC 130 nm CMOS标准工艺库.对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率.
相变存储器、写驱动电路、擦操作、阶梯波
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点基础研究发展计划资助项目2010CB934300,2011CBA00607,2011CB9328004;国家集成电路重大专项2009ZX02023-003;国家自然科学基金资助项目60906004,60906003,61006087,61076121,61176122,61106001;上海市科委资助项目11DZ2261000,1052nm07000,11QA1407800;中国科学院资助项目20110490761;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目KFJJ201110
2013-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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