10.3969/j.issn.1004-3365.2013.03.033
MOS结构γ总剂量效应仿真模型研究
研究了对MOS结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性.仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中并不能被激活,而利用激活氧化物体区和Si/SiO2界面的Insulator Fixed Charges模型可以分别对γ总剂量辐射造成的氧化层固定电荷和Si/SiO2界面陷阱电荷进行有效的模拟仿真.
MOS、γ辐射、总剂量辐射、陷阱电荷、TCAD、仿真模型
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TN306(半导体技术)
2013-07-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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