10.3969/j.issn.1004-3365.2013.03.030
SiGe异质结双极晶体管的基区优化
对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化.研究发现,器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感.采用重掺杂基区,适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布,可以有效地改进SiGe HBT的直流特性,同时能够提高器件的特征频率.晶体管主要性能的提高使SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域得到更加广泛的应用.
SiGe、异质结双极晶体管、基区优化、Ge组分、掺杂浓度
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TN431(微电子学、集成电路(IC))
国家"十一·五"科技重大专项资助项目2009ZX02303
2013-07-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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