10.3969/j.issn.1004-3365.2013.03.029
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究
通过对ETC公司的商用256 kb和1 Mb CMOS SRAM器件在不同偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射效应的研究,获得了SRAM器件电气参数和功能出错数随总剂量的响应关系.实验结果表明,功耗电流随累积剂量的增加变化明显,可以作为表征SRAM辐射损伤的敏感参数,但功能出错数与功耗电流的变化不同步,与功耗电流没有必然联系,原因是功能出错主要由栅氧阈值电压负漂引起,而功耗电流的增加主要由栅氧和场氧阈值电压负漂造成的漏电引起.
静态随机存储器、总剂量效应、阈值电压
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TN47;TN386.1(微电子学、集成电路（IC）)
2013-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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426-430
