10.3969/j.issn.1004-3365.2013.03.009
一种0.6μm SOI抗辐照运算放大器的版图设计
根据电路设计要求,对有特殊要求的器件,合理运用相关版图设计技术.针对器件的不同辐照效应,采用相应的抗辐射版图设计措施.流片测试结果显示,运算放大器的增益和输入失调电压等均达到设计要求.电路具有抗单粒子闩锁能力,抗总剂量大于3 kGy(Si).实现了一种抗辐照高性能运算放大器的版图设计.
运算放大器、版图设计、总剂量辐射、单粒子闩锁
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2013-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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