10.3969/j.issn.1004-3365.2013.03.007
0.5μm GaAs pHEMT射频矩阵开关
基于0.5μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种应用于950～2 150 MHz的4×2射频矩阵开关.该矩阵开关有四路输入两路输出,通过控制片内集成的4比特数字逻辑解码器电路,两路输出端口可以任意选择4路输入射频信号中的任意两路信号,或者同时选通一路信号,并在输出端集成负载检测功能.开关的工作电压为5V,在950～2 150 MHz的频率范围内,其插入损耗低于5.6dB,隔离度高于37 dB,每个输入和输出端口的回波损耗大于13 dB,功率容量为19.4 dBm,开关的最大功耗为8 mW,适合多模多频段射频前端的应用.
射频矩阵开关、逻辑解码器、插入损耗
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TN454(微电子学、集成电路（IC）)
2013-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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