10.3969/j.issn.1004-3365.2013.02.029
一种基于准分子激光退火的GeSn合金生长新技术
针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术.X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶.材料表面平整,无位错缺陷产生,与快速热退火方式相比,晶体质量有明显提高.Sn注入剂量为8×1015cm2的样品经退火后,其替位式Sn原子含量为1.7％,可满足应变Ge沟道MOSFET的设计要求.该技术附加工艺少,效率高,在实际生产中具有较大的参考价值.
GeSn、应变Ge、MOSFET、准分子激光、离子注入
43
TN304(半导体技术)
2013-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
274-277
