10.3969/j.issn.1004-3365.2013.02.028
基于双栅PMOSFET模型的硼穿通分析方法
随着栅氧化层厚度的不断减小,硼穿通问题变得越来越严重.特别是在表面沟道器件中,非常容易出现硼穿通现象.为了减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响,需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的关系.提出的双栅PMOSFET模型将P型多晶硅栅极与N型多晶硅栅极的功函数之差与阈值电压差值进行对比,完成了硼穿通的判定.通过优化热氧化条件,采用N2O热处理,能够有效改善薄栅氧化层PMOSFET中的硼穿通问题.
硼穿通、双栅PMOSFET、表面沟道器件
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
国家十一五科技重大专项资助项目2009ZX02303
2013-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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270-273
