10.3969/j.issn.1004-3365.2013.02.015
一种全MOS低温漂电压基准源的研究
通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差△VGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压.基于2.5 V65 nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证.结果显示:在-40℃～125℃温度范围内,基准电压为1.1V,温度系数为1.6×10-5/℃,电源抑制比为-51 dB.
Tracking-VGS、温度补偿、NMOS栅源电压、电压基准源
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TN432;TN453(微电子学、集成电路（IC）)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目ZYGX2010J040
2013-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
210-212,217
