10.3969/j.issn.1004-3365.2013.01.029
一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型
提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型.LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型.根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型.模型考虑自加热效应后,经过参数提取,模拟数据可以很好地与实际器件的测试数据相吻合,说明模型可用于LDMOS功率器件的电路仿真.
LDMOS、漂移区电阻、大信号模型、自加热效应
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TP386.1(计算技术、计算机技术)
2013-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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