10.3969/j.issn.1004-3365.2013.01.027
基于体硅衬底制作全耗尽FinFET器件的工艺方案
随着MOS器件缩小到纳米尺寸,为了改善器件性能,三维全耗尽FinFET器件受到广泛关注和研究.基于体硅衬底,已实现不同结构的FinFET,如双栅、三栅、环栅等结构.不同于SOI衬底FinFET,对于双栅或三栅结构,体硅衬底制作FinFET可能存在源漏穿通问题,对于环栅FinFET器件,工艺实现是一个很大的挑战.综述了目前解决源漏穿通问题的各种工艺方案,提出了全新的基于体硅衬底制作环栅FinFET的工艺方案,并展示了关键步骤的具体工艺实验结果.
三维全耗尽、鳍形场效应管、栅全环绕、SOI衬底、体硅衬底
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TN305.5(半导体技术)
02国家科技重大专项课题"22纳米关键工艺技术先导研究及平台建设"2009ZX02035;中科院百人计划YOYB05X001
2013-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
120-124
