10.3969/j.issn.1004-3365.2013.01.026
功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究
研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同剂量率辐照时随累积剂量的变化关系.实验结果表明,此型号抗辐射加固功率VDMOS器件在高/低剂量率辐照后参数的漂移量相差不大,不具有低剂量率辐射损伤增强效应.认为可以用高剂量率辐照后高温退火的方法评估器件的总剂量辐射损伤.实验结果为该型号抗辐射加固功率VDMOS器件在航空、航天等特殊领域的应用提供了技术支持.
VDMOS、抗辐射加固、总剂量辐射、剂量率辐射、辐射效应
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TN368.1(半导体技术)
2013-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
115-119,124
