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10.3969/j.issn.1004-3365.2013.01.025

SOI NMOS器件总剂量辐照退火特性分析

引用
研究了在不同的温度和偏置条件下对SIMOX SOI MOSFET进行总剂量辐照的退火特性.结果发现,ON偏置时退火效应较显著,且高温时退火效应比常温时更明显.

总剂量辐照、SOI、MOSFET、退火

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TN306(半导体技术)

"十二·五"微电子预研项目51308040403;"十二·五"国家重大专项2011ZX01022002

2013-04-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

43

2013,43(1)

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