10.3969/j.issn.1004-3365.2013.01.025
SOI NMOS器件总剂量辐照退火特性分析
研究了在不同的温度和偏置条件下对SIMOX SOI MOSFET进行总剂量辐照的退火特性.结果发现,ON偏置时退火效应较显著,且高温时退火效应比常温时更明显.
总剂量辐照、SOI、MOSFET、退火
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TN306(半导体技术)
"十二·五"微电子预研项目51308040403;"十二·五"国家重大专项2011ZX01022002
2013-04-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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