10.3969/j.issn.1004-3365.2013.01.021
SiGe HBT逻辑电路抗辐射设计加固技术
微电子抗辐射设计加固(Radiation Hardening By Design,RHBD)是指在电路设计中采用特殊版图或电路结构达到抗辐射电路的性能要求,且该电路应能使用标准商用生产线的工艺技术进行制造.论述了几种采用SiGe异质结双极晶体管(HBT)的逻辑电路设计加固技术.
抗辐射设计加固、逻辑电路、SiGe HBT
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TN406(微电子学、集成电路（IC）)
2013-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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