10.3969/j.issn.1004-3365.2013.01.017
电离总剂量辐射加固SRAM设计
在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命.针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加固单元的面积和速度.加固SRAM单元的抗TID水平得到极大提高,同时,抗单粒子效应水平、面积、速度也达到一定的要求.这些单元可用于实现基于商用CMOS工艺并具有高抗辐射性能的SRAM.
静态随机存取存储器、辐射加固、电离总剂量辐射
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
国家重大科学仪器专项2011YQ;西北工业大学研究生创业种子基金资助项目Z2012188
2013-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
76-80
