10.3969/j.issn.1004-3365.2013.01.015
基于DICE结构的主-从型抗辐照触发器设计
基于双互锁存储单元(DICE)结构,采用TSMC 0.18μm体硅CMOS工艺,设计了一个带复位和清零端的主一从型抗辐照触发器.通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制,使单个存储节点具有抗单粒子翻转的能力.采用多种改进设计,增强抗单粒子瞬态脉冲(single event transient,SET)的能力,并且降低了电路功耗.通过Spectre仿真,测试了触发器的抗单粒子翻转(single event upset,SEU)能力,确定了版图设计规则.采用新颖的3倍高度的版图布置及环栅NMOS结构,消除了总剂量效应;采用双保护环,降低了单粒子闩锁效应;最终完成了全方位抗辐照的触发器电路设计.
单粒子效应、辐照加固、双互锁存储单元、触发器
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2013-04-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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