10.3969/j.issn.1004-3365.2012.06.032
浅结激光退火的实验研究及工艺模型
随着器件尺寸缩小,浅结、超浅结的制作日益成为重要的工艺模块.对于22 nm及以下技术代来说,除了采用低能离子注入获得极浅的原始注入分布外,通常还采用短时或者瞬时激光退火来激活注入杂质,以保持原始的注入杂质不发生明显的扩散再分布.详细介绍了一台激光退火设备的搭建情况,利用所搭建的激光退火装置进行浅结、超浅结的激光退火实验研究.另一方面,鉴于当前激光退火工艺模型的欠缺,在实验数据的基础上,初步分析和建立了专门针对浅结激光退火处理的工艺模型.
激光退火、工艺模型、浅结
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TN305.99(半导体技术)
国家科技重大专项课题资助项目2009ZX02037-002
2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
889-892,896
