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10.3969/j.issn.1004-3365.2012.06.028

一种500V终端结构的设计与优化

引用
设计了一个500 V纯场限环终端结构.在保证击穿电压的前提下,为了尽可能减小终端结构所占的芯片面积,适当调整场限环终端的结构参数,添加金属场板,形成场限环-场板联合边端结构,界面态电荷对器件性能的影响也得到改善.采用场限环-场板结构的终端,实现了539 V的击穿电压,并缩短了17.2μm的边端宽度,相应节省了14%的宽度.

场限环、场板、终端结构、降低表面场强

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TN386(半导体技术)

国家自然科学基金资助项目60990320,60990323;国家高技术研究发展863计划基金资助项目2012AA012305

2013-03-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

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2012,42(6)

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