10.3969/j.issn.1004-3365.2012.06.021
应用于三维集成的晶圆级键合技术
随着芯片集成度的不断提高以及CMOS工艺复杂度的增加,集成电路的成本及性能方面的问题越来越突出,基于TSV技术的三维集成已成为研究热点,并很有可能是未来集成电路发展的方向.在三维集成中,键合技术为芯片堆叠提供电学连接和机械支撑,从而实现两层或多层芯片间电路的垂直互连.介绍了几种晶圆级三维集成键合技术的特点及研究现状.
金属扩散键合、共晶键合、直接键合、聚合物粘胶键合、混合键合
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TN305.99(半导体技术)
2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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