10.3969/j.issn.1004-3365.2012.05.029
低压沟槽功率MOSFET导通电阻的最优化设计
研究了低压沟槽功率MOSFET(<100 V)在不同耐压下导通电阻最优化设计的差别.给出了确定不同耐压MOSFET参数的方法,简要分析了沟槽MOSFET的导通电阻;利用Sentaurus软件对器件的电性能进行模拟仿真.理论和仿真结果均表明,耐压高的沟槽MOSFET的导通电阻比耐压低的沟槽MOSFET更接近理想导通电阻,并且,最优导通电阻和最优沟槽宽度随着耐压的提高而逐渐增大.
功率器件、MOSFET、沟槽、击穿电压、导通电阻
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TN492(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金重大项目60990320,60990323;国家高技术研究发展863计划基金资助项目2012AA012305
2012-12-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
725-728,732