10.3969/j.issn.1004-3365.2012.05.028
分布式多元胞集成半导体放电管的设计与工艺
介绍了一种分布式多元胞集成半导体放电管的结构设计和工艺方法.在保持传统单元胞放电管器件表面总面积和放电管纵向剖面NPNPN五层结构不变的情况下,将放电管发射区等分成2(N+1)2个(N取0,1,2,3,4),构成在基区中心对称的多元胞结构.该结构优化了放电管阴极发射区的分布,使浪涌电流在整个芯片平面上趋于均匀,降低了发射区的热量集中效应；同时增加了电流放大系数,减少了放电管的开通时间.采用镓扩散、玻璃钝化等工艺流程,制作出分布式多元胞集成半导体放电管,解决了单元胞放电管散热不均匀、响应速度慢及可靠性差的问题.雷电波冲击电流测试表明,该结构提高了器件的抗电涌能力,可广泛应用于通信领域的雷电防护.
放电管、半导体器件、多元胞
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TN302;TN305(半导体技术)
重庆市科技攻关计划资助项目CSTC2010AC2142
2012-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
721-724
