10.3969/j.issn.1004-3365.2012.05.006
基于噪声抵消技术的CMOS宽带LNA设计
设计了一种用于1～4 GHz射频前端的全集成CMOS宽带低噪声放大器.利用电流复用技术,对典型并联共栅-共源噪声抵消结构进行改进,以缓和噪声、增益及功耗之间的矛盾.采用在输入端引入电容电感并与MOS管寄生电容构成 П形网络的方式来改善输入匹配特性.基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真.仿真结果表明,LNA噪声系数小于3.24 dB,输入反射系数S11小于-8.86 dB,增益大于15.6 dB,ⅡP3优于+1.55 dBm,在1.8V单电源供电条件下功耗仅为16.2 mW.
低噪声放大器、噪声抵消、电流复用、输入匹配
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TN772.3(基本电子电路)
2012-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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