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10.3969/j.issn.1004-3365.2012.05.004

ESD保护低噪声放大器的分析与设计

引用
针对封装和ESD寄生对源极电感反馈结构低噪声放大器的影响,进行了详细的理论分析.在已发表文献的基础上,加入对ESD寄生引起的输入匹配网络改变的考虑,给出了新的噪声系数公式.根据分析结果,提出设计时的考虑.采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一款GPS L1波段的单端低噪声放大器.测试结果显示,电路增益达到18 dB,噪声系数为2.2 dB;在1.8V电压下,电流消耗为4.5 mA.

GPS接收机、低噪声放大器、ESD保护

42

TN732(基本电子电路)

核高基重大专项2009ZX01031-002-008

2012-12-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

613-616,621

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

42

2012,42(5)

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