10.3969/j.issn.1004-3365.2012.05.003
900～1200MHz高线性LNA电路设计
提出了一种新颖的900～1200 MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法.电路采用0.35 μm SiGe BiCMOS工艺制作.测试结果显示,设计的高线性低噪声放大器增益为16.4 dB,噪声系数为2.5 dB,输入1dB压缩点为-6.0 dBm,功耗为50 mW(电源电压为5V),尺寸为720 μm×950 μm.
低噪声放大器、锗硅、BiCMOS、射频集成电路
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
2012-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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