10.3969/j.issn.1004-3365.2012.03.029
场板SOI RESURF LDMOS表面势场分布解析模型
以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响.通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型.该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况.利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响.解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性.
场板、表面电场降低、绝缘体上硅、解析模型
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TN305(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目60806027,61076073;江苏省高校自然科学基金资助项目08KJA510002,09KJB510010;电子薄膜与集成器件图家重点实验室开放基金资助项目KFJJ201011
2012-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
420-425,431
