10.3969/j.issn.1004-3365.2012.03.027
InAlN/AlN/GaN HEMT电学特性仿真与分析
研究了一种新型GaN基HEMT结构,即InAlN/AlN/GaN异质结层结构,并对其直流特性以及频率特性进行了仿真.通过理论分析,结合TCAD软件,与常规AlGaN/AlN/GaNHEMT进行对比.对栅长为1μm的器件进行仿真,结果表明,器件的最大跨导为450 mS/mm,最大电流密度为2 A/mm,电流增益截止频率fΥ=15 GHz,最高振荡频率fmax=35 GHz.
InAlN/AlN/GaN、HEMT、TCAD
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TN386.6(半导体技术)
2012-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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