10.3969/j.issn.1004-3365.2012.03.019
一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计
分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术.该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提供200 mA的最大负载电流,低频电源抑制比达到-65.6 dB,启动时间只有16 μs,在输出电容为10 pF、负载电流以200mA/2 μs突变时,最大下冲电压为120 mV,上冲电压为160 mV.
LDO、瞬态响应、相位裕度
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
国家集成电路重大专项2009ZX02023-003;国家重点基础研究发展计划基金资助项目2007CB935400,2010CB934300,2011CB309602,2011CB932800;国家自然科学基金资助项目60906004,60906003,61006087,61076121;上海市科委资助项目09QH1402600,1052nm07000
2012-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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