10.3969/j.issn.1004-3365.2012.03.010
一种新型无运放CMOS带隙基准电路
介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路.该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响.该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比.基于0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真.采用2.5V电源电压,在-40℃～125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25 mW.
带隙基准电压源、无运放基准源、启动电路
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2012-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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