10.3969/j.issn.1004-3365.2012.02.036
0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子可靠性研究
对0.5 μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究.在Vds=5 V,Vgs=2.1V的条件下,加电1000 s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(△Vt/Vt)和跨导的退化(△gm/gm)分别为0.23%和2.98%.以器件最大跨导gm退化10%时所对应的时间作为器件寿命,依据幸运电子模型,0.5 μm部分耗尽SOI NMOSFET寿命可达16.82年.
SOI、部分耗尽、NMOSFET、热载流子效应、可靠性
42
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2012-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
293-296