10.3969/j.issn.1004-3365.2012.02.035
基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响
建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究.结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩形分布结构的SiGe HBT,具有更好的热特性.对不同Ge组分分布下器件增益与温度的依赖关系进行研究,发现当基区Ge组分为三角形和梯形分布时,随着温度升高,器件增益始终低于Ge组分矩形分布的器件,且增益变化较小,提高了器件的热学和电学稳定性,扩大了器件的应用范围.
SiGe、异质结双极晶体管、热学特性、Ge组分分布
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TN322.8(半导体技术)
北京工业大学研究生科技基金ykj-2011-5108
2012-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
289-292,296
