10.3969/j.issn.1004-3365.2012.02.034
VDMOS的UIS能力与制造工艺流程的关系
介绍了几种不同工艺流程:利用光刻胶做掩蔽的P+掩模注入工艺,利用ILD做掩蔽的接触孔P+注入工艺,利用LTO形成的Spacer做屏蔽的平面氧化层P+工艺.分析了这几种工艺流程与UIS能力的关系.由于受光刻工艺影响存在差异,这三种做法最后形成的Deep body区域的横向尺寸差异很大,导致了其UIS能力差异也很大.最后,通过仿真,验证了平面氧化层P+工艺确实具有最强的UIS能力,与理论分析完全一致.
垂直双扩散晶体管、非箝位感性开关、单脉冲雪崩击穿能量
42
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2012-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
285-288
