10.3969/j.issn.1004-3365.2012.02.028
漂移区覆盖高k薄膜的高压LDMOS器件优化设计
为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET (LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采用“高k薄膜+氧化层+场板”结构的功率器件,有效降低了PN结弯角高电场和场板边缘峰值电场.使用器件仿真工具MEDICI进行验证,并分析高k薄膜厚度、氧化层厚度、高k薄膜相对介电常数以及栅场板长度对器件性能的影响,最终实现了耐压达到820V、比导通电阻降至13.24 Ω·mm2且性能稳定的LDMOS器件.
LDMOS器件、高k薄膜、场板、击穿电压、导通电阻
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TN386(半导体技术)
2012-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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