10.3969/j.issn.1004-3365.2012.02.023
一种基于0.18μm CMOS工艺的上电复位电路
介绍了一种采用0.18 μm CMOS工艺制作的上电复位电路.为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0 V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点；利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度；利用施密特触发器,增加了电路的迟滞效果.电路全部采用MOS管设计,大大缩小了版图面积.该上电复位电路用于一种数模混合信号芯片,采用0.18 μm CMOS工艺进行流片.芯片样品电路测试表明,该上电复位电路工作状态正常.
上电复位电路、低阈值电压、CMOS、NMOS
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目60906009,61176030;中国博士后科学基金资助项目20090451423;重庆市科委基金资助项目CSTC2010AA2004
2012-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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