一种1kb相变存储芯片的设计
以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1 kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片.该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能.测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达到10年,圆片(wafer)成品率达到99.9％.
存储器、相变存储器、相变存储芯片
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
国家集成电路重大专项2009ZX02023-003;国家重点基础研究发展计划基金资助项目2007CB935400,2010CB934300;上海市科委资助项目09QH1402600,1052nm07000;2010年度中科院科技创新与社会实践专项资助
2012-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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844-847,851
