一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130 nm标准CMOS工艺将其与128 kb的相变存储器实验芯片集成.相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15 kΩ左右降至7 kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128 kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99％以上.
相变存储器、非易失性存储器、电流阶梯波、擦驱动电路
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家集成电路重大专项2009ZX02023-003;国家重点基础研究发展计划资助项目2007CB935400,2010CB934300,2011CB309602,2011CB932800;国家自然科学基金资助项目60906004,60906003,61006087,61076121;上海市科委资助项目09QH1402600,1052nm07000
2012-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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