期刊专题

一种新型高线性度CMOS自举采样开关

引用
分析了采样开关中非线性的来源,以及传统自举采样开关的弊端,提出了一种新型高线性度CMOS自举采样开关电路结构.相比传统自举采样开关,新型电路可以将阈值电压随输入信号变化引入的非线性减至最小.采用0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真.结果显示,当输入频率为15 MHz、峰峰值为0.84 V的正弦波,且采样时钟频率为30 MHz时,采样开关的无杂散动态范围达到93 dB,较之传统自举采样开关提高了近20 dB.

CMOS、自举采样开关、非线性、无杂散动态范围

41

TN432(微电子学、集成电路(IC))

2012-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

799-802,809

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

微电子学

1004-3365

50-1090/TN

41

2011,41(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn

打开万方数据APP,体验更流畅