未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究
在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-x Gex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-x Gex.俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18％,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82 Ge0.18.随即在n-poly-Si0.82 Ge0.18薄膜上溅射一层Co膜,形成Co/n-poly-Si0.82 Ge0.18肖特基结.在90 K～332 K温度范围内,对样品进行变温I-V测试(I-V-T).发现随测试温度的升高,表观理想因子na变小,肖特基势垒高度(SBH)变大.这是金属/半导体肖特基接触不均匀性的表现,对这种不均性进行建模,并和实验数据进行对比,两者基本符合.
SiGe、变温I-V测试、肖特基结、理想因子
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TN311+.8(半导体技术)
2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
763-765,769
