SiO2薄膜致密性的表征
论述了表征SiO2薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法,分析了它们各自的特点.制备了不同衬底和不同工艺的三个热氧化SiO2薄膜样品,利用红外光谱法和折射率法对样品进行了对比测试.结果表明,采用红外光谱法表征SiO2薄膜的致密性时,主特征吸收峰频率不仅与薄膜致密性相关,还与样品的厚度和衬底等因素有关；而折射率法受这些因素的影响较小,是表征SiO2薄膜致密性较为适用的方法.
SiO2薄膜、致密性、红外光谱法、折射率法
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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