VDMOS正向偏压安全工作区的界定与优化
外界温度变化对VDMOS安全工作区域有很大影响,若不能很好地解决热散效应,工作环境温度的升高将会对器件的稳定性、可靠性及使用寿命产生不良影响.为了避免器件在实际使用过程中发生瞬态损坏及永久性损坏,安全工作区域需要依据应用器件的实际工作条件重新界定优化.以高压增强型VDMOS-GM180作为载体,根据测试器件的热阻、工作电流、工作电压等具体参数,对实际应用环境下的安全工作区域进行界定及优化,并对此策略进行验证.
VDMOS、安全工作区、热阻
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
751-754,758
