一种新型VLSI电路外部电光探测器
采用极化聚合物电光材料,设计制作出一种结构新颖的亚微米VLSI电路正面入射式外部电光探测器.通过在探测器中引入参考电极,实现了电压的标定测量；利用1 μm线宽指状电极的电场分布,验证了触立式极化聚合物电光探测器对电场具有较高的空间分辨率.实验证明,该新型外部电光探测器的空间分辨率可达0.5 μm,完全满足亚微米电路无损探测的要求.
外部电光探测、VLSI、电场空间分辨率、可靠性
41
TN406(微电子学、集成电路（IC）)
2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
690-694,699
