单片集成压力传感器及弱信号处理电路的设计
通过分析硅压敏电阻与晶向的关系,找到力敏电阻在硅膜片上的最佳位置.经测量,在10～400 kPa范围内,压阻电桥的灵敏度约为0.36 mV/kPa.提出一种由惠斯登电桥双端输出和双级放大器组成的电路结构,以对称的输入结构和全摆幅输出,解决了传感器输出小、易产生零点漂移的问题.用Cadence软件对电路进行模拟,在5V电源电压下,该放大电路的输出范围为0.036～4.953V,开环增益为110dB,CMRR为105.8dB,相位裕度为63.68°,可满足压力传感器的要求.
压力传感器、压敏电阻、单片集成电路、弱信号处理电路
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TN431(微电子学、集成电路（IC）)
国家高技术研究发展863计划基金资助项目“CMOS MEMS单片集成及应用技术研究”2009AA04Z322
2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
672-675,680
