一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源
采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源.它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压.为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区.仿真结果表明:电路可工作在0.7V到3.6V电压范围内；在0℃～120℃范围内,电压基准的温度系数可迭2.97×10-6/℃；在1V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为1.48 μW和430.6 mV;在没有滤波电容的情况下,在1 kHz时,输出电压的电源电压抑制比为-61 dB.
CMOS、电压基准源、亚阈值、弱反型、强反型
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TN722.3(基本电子电路)
湖南省科技计划项目2010GK3052;湖南省长沙市科技计划重点项目K0902012-11
2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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