基于中低压器件实现的高压负电平位移电路
提出了一种新型高压负电平位移电路.该电路只采用中低压PM()S来实现高压电平位移,与传统的高压负电平位移电路相比,降低了工艺及器件难度.分析了该新型电平位移电路的电路结构与工作原理.采用1μm CMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真验证,证明提出的高压负电平位移电路正确可行.
中低压器件、高压负电平、位移电路、CMOS
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
国家科技重大02专项2010ZX02201
2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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