α粒子注入对SRAM存储单元的影响研究
针对目前SRAM存储单元所面临的α粒子注入引起的软错误问题,首先采用一个简化的反相器模型,模拟其在α粒子注入时的输出变化;然后将该输出用作SRAM存储单元电路仿真的输入信号,研究α粒子注入对存储单元双稳电路稳定性的影响,其中,α粒子的注入通过一个电流源来模拟;最后,比较两种电流源模型下存储单元的存储情况.可以看出,PMOS等效电阻越大或节点电容越小,α粒子的注入越容易导致存储单元软错误的发生.也就是说,临界电荷越小,发生软错误的可能性越大.
SRAM、存储单元、软错误、α粒子、临界电荷
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2011-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
451-455,473
