GLSI多层布线钨插塞CMP表面质量的影响因素分析
随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求.在特大规模集成电路(GISI)多层布线化学机械抛光(CMP)过程中,抛光质量对器件的性能有明显影响.研究了多层互连钨插塞材料CMP过程中表面质量的影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响抛光质量的主要因素,确定了获得较高去除速率和较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数.
特大规模集成电路、多层布线、钨插塞、化学机械抛光、粗糙度
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TN305(半导体技术)
02国家重大专项2009ZX02308;国家自然科学基金联合基金资助项目NSAF10676008;教育部博士基金资助项目20050080007
2011-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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