SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象.研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱.指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因.最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究器件结构参数对非准静态效应的影响规律.结果显示,通过缩短沟道长度、降低沟道掺杂浓度、减小硅膜厚度和栅氧厚度、提高埋氧层厚度等手段,可以弱化SOI射频MOS器件中的非准静态效应.
非准静态效应、全耗尽SOI、部分耗尽SOI、射频、MOSFET
41
TN305(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目60806027,61076073;江苏省高校自然科学基金资助项目09KJB510010;江苏省高校自然科学重大基础研究项目08KJA510002;南通市科技项目K2008024
2011-11-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
436-441