VDMOS异常峰值电流产生原因研究
研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论.异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状态决定.一般MOSFET不具有此特殊结构,因而不具有此异常峰值电流现象.为了验证上述理论,采用TCAD(ISE),模拟了氧化物陷阱电荷和界面态电荷对异常峰值电流的影响程度.研究结果表明,氧化物陷阱电荷和界面态电荷显著影响neck区域的复合电流,是产生异常峰值电流最主要的原因.
VDMOS、复合速率、异常峰值电流、氧化物陷阱电荷、界面态电荷
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TN323+.4(半导体技术)
2011-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
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