一种带过温保护和折返电流限的LDO设计
提出了一种带过温保护电路和折返电流限的LDO,其主环路采用密勒补偿与零点补偿相结合的补偿方式.电路设计基于CSMC的1 μm CDMOS工艺,用Hspice进行仿真验证.仿真结果表明,过温保护电路可以实现对电路的保护,并有25℃的迟滞温度;折返电流限可以将过流时的输出电流限制为一个较小的值,并在输出短路时使输出电流保持在30 mA左右;LDO的主环路在轻载和重载下都具有很好的稳定性.
LDO、过温保护、折返电流限、频率补偿
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2011-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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